Китайские производители оперативной памяти отстают от корейских конкурентов на 5 лет

В отличие от сферы производства твердотельной памяти типа 3D NAND, в которой китайская компания YMTC отстаёт от мировых лидеров буквально на одно поколение, производство микросхем памяти типа DRAM даётся китайским компаниям с большим трудом. По оценкам южнокорейских экспертов, китайская CXMT отстаёт от корейских соперников в этой сфере на пару поколений и пять лет.

Отставание в сфере технологий выпуска твердотельной памяти у китайских компаний заметно меньше, но всё равно достигает пары лет. Корейские компании собираются наладить массовый выпуск микросхем 3D NAND с количеством слоёв более 200 штук к концу этого или началу следующего года, а китайская YMTC вряд ли сможет сделать это ранее 2024 года. От дальнейшего сближения YMTC с корейскими конкурентами компанию может удержать введение специфических санкций со стороны США, но пока этот фактор не ограничивает развитие данного сегмента китайской промышленности.

В сегменте контрактного производства более сложных микросхем Китай отстаёт от Южной Кореи примерно на пять лет. Samsung Electronics уже может выпускать для своих клиентов 5-нм и 4-нм изделия, а китайская SMIC не продвинулась далее 14 нм — во многом из-за американских санкций, к слову. Дальнейшее освоение передовой литографии без перехода на сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение (EUV) представляется затруднительным, но здесь как раз и вступают в силу санкции США против SMIC.