Micron ещё два года будет выпускать память DRAM по старинке, без EUV-сканеров

В рамках очередного квартального отчёта компания Micron поделилась планами по внедрению передовых техпроцессов для производства оперативной памяти. Сообщается, что переход на сканеры диапазона EUV компания начнёт совершать в 2024 году, что минимум на четыре года позже компаний Samsung и SK hynix. Но это не означает, что все эти годы память Micron будет хуже или дороже. Micron достигла совершенства в использовании 193-нм сканеров и сохранит его.

Наконец, техпроцесс 1γ (гамма) будет введён в производство в 2024 году. Для реализации этих планов часть литографических сканеров будет заменена на сканеры диапазона EUV. Судя по всему, компания Micron, как и компания Samsung будет использовать сканеры EUV для изготовления 2–4 критически важных слоёв, тогда как все остальные (до десятка) слоёв, лежащих ниже, будут изготавливать с помощью 193-нм сканеров методом иммерсионной литографии с погружением пластин в жидкость для увеличения оптического разрешения.