С ростом спроса на модули памяти большой ёмкости тайваньские производители чипов DRAM наращивают выпуск для увеличения своей доли рынка. Новые заводы намерены открыть Winbond Electronics и Nanya Technology.

Новый завод Winbond в Гаосюне изначально освоит 25-нм техпроцесс и будет ориентирован на выпуск DDR3. Сейчас для компании поставки DDR3 обеспечивают порядка 30 % всех доходов, а к 2024 году этот показатель может достигнуть 50 %. По данным компании производство на новой фабрике увеличится с 24 тыс. пластин сначала до 34 тыс., а после 2024 года — до 38-40 тыс. После 25-нм компания намерена перейти на 20-нм технологию и начать массовое производство продуктов на её основе в конце 2024 или в 2025 году. Тогда же производитель переориентируется на выпуск DDR4. При этом компания обещает, что память DDR3 будет выпускаться ещё около 10 лет.

В Nanya намерены наладить выпуск 10-нм DDR4 собственной разработки, тестирование уже прошли пилотные 8-Гбит чипы. Тем временем компания планирует снизить выпуск 30-нм чипов DDR3, постепенно переходя на DDR5. Пока на продукты, соответствующие 10-нм техпроцессу, приходится менее 10 % доходов компании.

На строительство новой фабрики Nanya потратит порядка $10,1 млрд — церемония начала стройки намечена на 23 июня. Запуск фабрики пришлось отложить на два-три квартала из-за проблем со строительством. Массовое производство отложено с 2024 на 2025 год, на первом этапе на фабрике будет выпускаться 45 тыс. пластин ежемесячно.