Samsung объявила об успешной демонстрации первых в мире вычислений в оперативной памяти на основе MRAM — многорезистивной памяти с произвольным доступом. Статья об этом была опубликована 12 января в интернет-версии издания Nature. Samsung заявила, что это достижение демонстрирует её лидерство в технологиях памяти и её усилия по объединению памяти и вычислительных микросхем для чипов искусственного интеллекта следующего поколения.

Исследователи Samsung предложили архитектурные инновации, которые могут решить проблему. Им удалось разработать микросхему MRAM для вычислений в памяти, заменив стандартную архитектуру вычислений с «текущей суммой» на новую архитектуру, работающую с «суммой сопротивлений», которая решает проблему малых сопротивлений отдельных устройств MRAM.

Исследовательская группа Samsung проверила новое решение в действии. Вычисления в памяти MRAM были протестированы в работе с операциям искусственного интеллекта. Чип достиг точности 98 % в распознавании рукописных цифр и 93 % в обнаружении лиц в сценах.

Исследователи отмечают, что использование MRAM, производство которой уже достигло коммерческих масштабов, для вычислений в памяти расширяет возможности по созданию чипов искусственного интеллекта следующего поколения с низким энергопотреблением.

Исследователи предполагают, что разработанный ими чип MRAM можно использовать не только для вычислений в памяти, но и в качестве платформы для загрузки биологических нейронных сетей. По их словам, вычисления в памяти имеют сходство с мозговой деятельностью, поскольку в мозге вычисления происходят в сети синапсов — точек, где нейроны соприкасаются друг с другом. Таким образом, свежую разработку, в теории, можно использовать в качестве платформы для имитации мозга путём моделирования синапсов.