Samsung показала президенту США новейший 3-нм чип

В ходе визита президента США Джо Байдена (Joe Biden) в Южную Корею он посетил завод Samsung Electronics, на котором ему должны были продемонстрировать новейший чип, произведённый по технологии 3 нм. Кроме того Байден высказался о сотрудничестве с Южной Кореей, в том числе в полупроводниковой сфере.

Как говорят в Samsung, технология GAA позволяет снизить размеры компонентов на 35 %, обеспечивая при этом повышение производительности на 30 % или снижение электропотребления на 50 % в сравнении с чипами на основе техпроцесса 5 нм. Компания также заявила, что уже ведётся разработка технологических узлов 2 нм, а массовое производство на их основе запланировано на 2025 год.

Тем не менее, мировым лидером в контрактном производстве чипов остаётся тайваньская TSMC, которая, по версии аналитиков TrendForce, в IV квартале прошлого года удерживала 52,1 % мирового рынка, а занявшая второе место Samsung имела долю лишь 18,3 %.

Байден подчеркнул необходимость технологического партнёрства между США и Южной Кореей. «Эта фабрика тому доказательство, — сказал он. — Это даёт как Корее, так и Соединённым Штатам конкурентное преимущество в мировой экономике, если мы сможем сохранить устойчивость, надёжность и безопасность наших цепочек поставок».