Samsung планирует потратить $200 млрд на строительство полупроводниковых заводов в Техасе

Компания Samsung повышает ставки в США. Незадолго до голосования местных парламентариев по законопроекту CHIPS Act, предусматривающему льготы и субсидии для инвесторов в американскую полупроводниковую отрасль, южнокорейский производитель выдвинул предложение построить в течение следующих 20 лет 11 заводов по выпуску чипов с общей стоимостью $200 млрд.

Новости о планах строительства появились незадолго до голосования американского Сената по законопроекту, предусматривающему субсидии общей стоимостью $50 млрд для игроков полупроводниковой отрасли. Громче всех инициативу поддерживала Intel, связывая вероятное принятие закона с собственным намерением потратить миллиарды на строительство заводов в Аризоне и Огайо.

Дерзкий план Samsung имеет недостатки. На производство полупроводников требуется много воды и электроэнергии. Доступной воды в Техасе довольно мало, а в ходе зимних бурь 2021 года местная энергосеть не справилась с электроснабжением, оставив без энергии и существующие заводы. Впрочем, у проекта Samsung есть и сильные стороны. Пока Intel пытается довести до готовности массовое производство в соответствии с 7-нм техпроцессом, южнокорейский конкурент уже предлагает решения на более современных технологиях, поэтому предприятия Samsung смогут обеспечить появления на территории СЩА более передовых полупроводниковых производств.